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厂商型号

BYM10-1000/1 

产品描述

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

内部编号

5-BYM10-1000-1

订购说明

质量保障

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BYM10-1000/1产品详细规格

规格书 BYM10-1000/1 datasheet 规格书
BYM10-xxx, GL41x
Packaging Information
Packaging Information
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1000V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case DO-213AB, MELF
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-213AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A
封装 Tape & Reel (TR)
电流 - Vr时反向漏电 10µA @ 1000V
安装类型 Surface Mount
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.2V @ 1A
电压 - ( Vr)(最大) 1000V (1kV)
热阻 75°C/W Ja
电容@ Vr ,F 8pF @ 4V, 1MHz
供应商设备封装 DO-213AB
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
标准包装 4,000
电流 - 平均整流(Io ) 1A
封装/外壳 DO-213AB, MELF
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型 Standard
封装/外壳 DO-213AB, MELF
RoHS指令 Contains lead

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