图片仅供参考,产品以实物为准
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数量:0 |
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| 规格书 |
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| Status | Active |
| 包装 | 4TO-206AF |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.05 A |
| RDS -于 | 250000@20V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 5 ns |
| 典型上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Supplier Unconfirmed |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-206AF |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电阻 | 250000@20V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-206AF |
| 最大功率耗散 | 375 |
| 最大连续漏极电流 | 0.05 |
| 引脚数 | 4 |
| P（ TOT ） | 0.375W |
| 匹配代码 | 3N163 |
| 单位包 | 200 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 200 |
| 极化 | P-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 0.005A |
| V（ DS ） | 40V |
| R（ DS上） | 250Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 50mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 10µA |
| 封装/外壳 | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| 供应商设备封装 | TO-72 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 375mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3.5pF @ 15V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | - 5 mA |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 250 Ohms |
| 功率耗散 | 375 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 13 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 70 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 漏极电流（最大值） | 0.05 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 250 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-206AF |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 50mA (Ta) |
3N163也可以通过以下分类找到
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