图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 110 mV, 225 mV |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 350 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 900 |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | SOT-563 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 100 mA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA (ICBO) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 300 @ 100µA, 5V |
| 其他名称 | CMLT5088E TR LEAD FREE |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | CMLT50 |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| 集电极最大直流电流 | 100 mA |
| 品牌 | Central Semiconductor |
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