图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 系列 | 2N6714 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 at 0.1 A at 1 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 A at 1 V |
| 增益带宽产品fT | 500 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | TO-237 |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | In Transition |
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