图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 4 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 系列 | 2N5885 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 集电极最大直流电流 | 25 A |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | TO-3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 25A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 4MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 4V @ 6.25A, 25A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 2mA |
| 标准包装 | 20 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-3 |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 10A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
2N5885也可以通过以下分类找到
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