1. 2N5308
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2N5308 

产品描述

Transistors Darlington NPN Darl Amp

内部编号

468-2N5308

生产厂商

Central Semiconductor

central-semiconductor

#1

数量:266
1+¥5.6069
10+¥4.8753
100+¥2.7556
1000+¥2.5163
2500+¥2.1265
10000+¥2.0445
25000+¥1.9693
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:2562
1+¥6.4262
10+¥5.9023
25+¥5.2304
100+¥4.5549
250+¥3.9641
500+¥3.3738
1000+¥2.699
2500+¥2.446
5000+¥2.2773
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2N5308产品详细规格

规格书 2N5308 datasheet 规格书
2N5308 datasheet 规格书
Status Active
工厂包装数量 2500
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 12 V
直流集电极/增益hfe最小值 7000
集电极最大直流电流 0.3 A
最大集电极截止电流 0.1 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 625 mW
封装 Bulk
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 TO-92
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS In Transition
连续集电极电流 1.2 A
电流 - 集电极( Ic)(最大) 300mA
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 60MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.4V @ 200µA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92
功率 - 最大 625mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 7000 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
宽度 4.19 mm
零件号别名 BK
长度 5.21 mm
系列 2N5308
身高 5.33 mm
Pd - Power Dissipation 625 mW
品牌 Central Semiconductor

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