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| 规格书 |
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| Status | Active |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 增益带宽产品fT | 2 GHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 2.5 V |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 系列 | 2N3839 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 at 3 mA at 1 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.04 A |
| 封装 | Box |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | TO-72 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | In Transition |
| 连续集电极电流 | 40 mA |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 身高 | 5.33 mm |
| 长度 | 5.84 mm |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
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