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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

ALD114804SCL 

产品描述

MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch

内部编号

452-ALD114804SCL

#1

数量:76
1+¥18.733
10+¥16.738
50+¥15.064
100+¥13.725
250+¥12.386
500+¥11.114
1000+¥9.373
2500+¥8.904
5000+¥8.57
最小起订量:1
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ALD114804SCL产品详细规格

规格书 ALD114804SCL datasheet 规格书
ALD114804,904(A)
ALD114804SCL datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 48
FET 型 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点 Depletion Mode
漏极至源极电压(VDSS) 10.6V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12mA
Rds(最大)@ ID,VGS 500 Ohm @ 3.6V
VGS(TH)(最大)@ Id 360mV @ 1µA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 16-SOIC
包装材料 Tube
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 10 V
源极击穿电压 10.6 V
连续漏极电流 12 mA
抗漏源极RDS ( ON) 500 Ohms
配置 Quad
最高工作温度 + 70 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOIC-16
正向跨导gFS (最大值/最小值) 0.0014 S
最低工作温度 0 C
功率耗散 500 mW
工厂包装数量 48
典型关闭延迟时间 10 ns
FET特点 Depletion Mode
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12mA, 3mA
的Vgs(th ) (最大)@ Id 360mV @ 1µA
漏极至源极电压(Vdss) 10.6V
供应商设备封装 16-SOIC
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 500 Ohm @ 3.6V
FET型 4 N-Channel, Matched Pair
功率 - 最大 500mW
标准包装 48
输入电容(Ciss ) @ VDS 2.5pF @ 5V
其他名称 1014-1056
封装/外壳 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 ALD114804S
RDS(ON) 500 Ohms
正向跨导 - 闵 0.0014 S

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