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厂商型号

ALD1106SBL 

产品描述

MOSFET Quad N-Channel Array

内部编号

452-ALD1106SBL

#1

数量:10464
1+¥20.8851
10+¥18.8735
25+¥16.8534
100+¥15.1672
250+¥13.4819
500+¥11.7965
1000+¥9.7743
2500+¥9.1002
最小起订量:1
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ALD1106SBL产品详细规格

规格书 ALD1106SBL datasheet 规格书
ALD1106
ALD1106SBL datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 56
FET 型 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 13.2V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.8mA
Rds(最大)@ ID,VGS 350 Ohm @ 5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 1µA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 14-SOIC
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3mA
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 1µA
供应商设备封装 14-SOIC
其他名称 1014-1013
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 500 Ohm @ 5V
FET型 4 N-Channel, Matched Pair
功率 - 最大 500mW
标准包装 56
漏极至源极电压(Vdss) 10.6V
输入电容(Ciss ) @ VDS 3pF @ 5V
封装/外壳 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工厂包装数量 56
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 13.2 V
连续漏极电流 4.8 mA
系列 ALD1106S
封装/外壳 SOIC-14
RDS(ON) 350 Ohms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 500 mW
最低工作温度 0 C
正向跨导 - 闵 0.0018 S
配置 Quad
最高工作温度 + 70 C
漏源击穿电压 12 V
RoHS RoHS Compliant

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