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厂商型号

NESG2021M05-T1-A 

产品描述

Transistors RF Silicon Germanium NPN SiGe High Freq

内部编号

440-NESG2021M05-T1-A

生产厂商

CEL

CEL

#1

数量:1459
1+¥41.019
100+¥11.927
500+¥8.769
1000+¥7.665
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
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#2

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1+¥41.019
100+¥11.927
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NESG2021M05-T1-A产品详细规格

规格书 NESG2021M05-T1-A datasheet 规格书
NESG2021M05-T1-A datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 5V
频率转换 25GHz
噪声系数(dB的典型@ F) 0.9dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
增益 10dB ~ 18dB
功率 - 最大 175mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 130 @ 5mA, 2V
- 集电极电流(Ic)(最大) 35mA
安装类型 Surface Mount
包/盒 M05
供应商器件封装 SOT-343
包装材料 Tape & Reel (TR)
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors RF Bipolar
晶体管极性 NPN
类型 RF Silicon Germanium
安装风格 SMD/SMT
封装 Reel
功率耗散 175 mW
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 M05
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

NESG2021M05-T1-A系列产品

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