图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-205-AF |
| 包装高度 | 6.6(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| Package Diameter | 9.4(Max) |
| 渠道类型 | P |
| 最大漏源电阻 | 900@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 6000 |
| 供应商封装形式 | TO-39 |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 0.75 |
| 引脚数 | 3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 0.75 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 900 mOhms |
| 封装 | Bag |
| 功率耗散 | 6 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-39 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 上升时间 | 16 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | In Transition |
| 下降时间 | 22 ns |
| 漏极电流（最大值） | 0.75 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.9 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-39 |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
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