1. VNS1NV04
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

VNS1NV04 

产品描述

MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni

内部编号

390-VNS1NV04

生产厂商

STMicroelectronics

STM

#1

数量:1800
460+¥4.32
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1800
1+¥5.3359
最小起订金额:¥3000
马来西亚吉隆坡
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#3

数量:345
1+¥8.047
10+¥7.126
25+¥6.435
100+¥5.631
250+¥4.941
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

VNS1NV04产品详细规格

规格书 VNS1NV04 datasheet 规格书
VNx1NV04
文档 VNS1NV04 View All Specifications
Multiple Devices 18/Dec/2012
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 VNS1NV04 View All Specifications
标准包装 100
Low Side
Input 型 Non-Inverting
输出数 1
导通状态电阻 250 mOhm
电流 - 输出/通道 1.7A
Current - Peak 输出功率 3.5A
- 电源电压 -
操作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SO
包装材料 Tube
单位包 100
最小起订量 2000
输出数 1
安装类型 Surface Mount
电流 - 输出/通道 1.7A
标准包装 100
供应商设备封装 8-SO
封装 Tube
工作温度 -40°C ~ 150°C
导通状态电阻 250 mOhm
输入类型 Non-Inverting
电流 - 峰值输出 3.5A
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
类型 Low Side
其他名称 497-2672-5
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 100
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 1.7 A
下降时间 200 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.004233 oz
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 2 S
RoHS No
典型关闭延迟时间 350 ns
源极击穿电压 8 V
RDS(ON) 250 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 8.3 W
最低工作温度 - 40 C
上升时间 170 ns
漏源击穿电压 40 V
栅极电荷Qg 5 nC

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