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| 规格书 |
 STW78N65M5 |
| 文档 |
STW78N65M5 View All Specifications |
| 其他相关文件 | STW78N65M5 View All 规格 |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 69A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 32 mOhm @ 34.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 203nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 9000pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 450W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STW78N65M5&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 单位包 | 30 |
| 最小起订量 | 600 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 69A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 32 mOhm @ 34.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 450W |
| 标准包装 | 30 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9000pF @ 100V |
| 其他名称 | 497-13603-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 203nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 15.75mm |
| 典型输入电容值@Vds | 9000 pF @ 100 V |
| 系列 | MDmesh M5 |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 20.15mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 32 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 450 W |
| 最大栅源电压 | ±25 V |
| 宽度 | 5.15mm |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大漏源电压 | 710 V |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns |
| 典型关断延迟时间 | 163 ns |
| 封装类型 | TO-247 |
| 最大连续漏极电流 | 69 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 203 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 600 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 203 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| 下降时间 | 14 ns |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | MDmesh |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| Id - Continuous Drain Current | 69 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | MDmesh M5 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 450 W |
| 上升时间 | 14 ns |
| 技术 | Si |
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