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| 规格书 |
 STx18N65M5 |
| 文档 |
STW18N65M5 View All Specifications |
| 其他相关文件 | STW18N65M5 View All 规格 |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 15A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 220 mOhm @ 7.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 31nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1240pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 110W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STW18N65M5&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 220 mOhm @ 7.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 110W |
| 标准包装 | 30 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1240pF @ 100V |
| 其他名称 | 497-13283-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 31nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 25 V |
| 连续漏极电流 | 9.4 A |
| RDS（ON） | 220 mOhms |
| 功率耗散 | 110 W |
| 封装/外壳 | TO-247 |
| 栅极电荷Qg | 31 nC |
| 上升时间 | 7 ns |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 9 ns |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-247 |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 650 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 600 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
| 系列 | MDmesh M5 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | 31 nC |
| 技术 | Si |
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