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| 规格书 |
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| 文档 |
STS8DN3LLH5 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STS8DN3LLH5 View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 19 mOhm @ 5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.4nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 724pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 19@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±22 V |
| 典型导通延迟时间 | 4 ns |
| 典型上升时间 | 4.2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 21.1 ns |
| 典型下降时间 | 3.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±22 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2700 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 19@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 19 mOhm @ 5A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 724pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-10391-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.4nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | 22 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| RDS（ON） | 15.5 mOhms |
| 功率耗散 | 2.7 W |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 栅极电荷Qg | 5.4 nC |
| 上升时间 | 4.2 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 栅源电压（最大值） | �22 V |
| 漏源导通电阻 | 0.019 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SO |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 5.4 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 22 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15.5 mOhms |
| 系列 | N-channel STripFET |
| Pd - Power Dissipation | 2.7 W |
| 技术 | Si |
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