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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

STP62NS04Z 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

内部编号

390-STP62NS04Z

生产厂商

stmicroelectronics

stm

#1

数量:985
50+¥8.663
最小起订量:50
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1221
1+¥9.6412
10+¥8.2052
100+¥6.3385
500+¥5.6001
1000+¥4.4172
2000+¥3.9043
5000+¥3.8291
10000+¥3.7607
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:1115
5+¥10.196
10+¥8.926
50+¥8.664
100+¥8.494
250+¥8.412
最小起订量:5
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

STP62NS04Z产品详细规格

规格书 STP62NS04Z datasheet 规格书
STP62NS04Z datasheet 规格书
STP62NS04Z
STP62NS04Z datasheet 规格书
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文档 STP62NS04Z View All Specifications
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013
其他相关文件 STP62NS04Z View All 规格
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 33V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 62A
Rds(最大)@ ID,VGS 15 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 47nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1330pF @ 25V
功率 - 最大 110W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
动态目录 N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STP62NS04Z&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
包装 3TO-220
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 33 V
最大连续漏极电流 62 A
RDS -于 15@10V mOhm
最大门源电压 18 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 104 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型下降时间 42 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 18
包装宽度 4.6(Max)
PCB 3
最大功率耗散 110000
最大漏源电压 33
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 15@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 10.4(Max)
引脚数 3
包装高度 9.15(Max)
最大连续漏极电流 62
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 50
最小起订量 2000
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 62A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 33V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 15 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 110W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 1330pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 47nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
身高 15.75mm
长度 10.4mm
最大漏源电阻 15 Ω
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 110 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-220
典型栅极电荷@ VGS 34 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1330 pF V @ 25
宽度 4.6mm
工厂包装数量 50
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 18 V
连续漏极电流 62 A
正向跨导 - 闵 20 S
单位重量 0.050717 oz
RDS(ON) 15 mOhms
功率耗散 110 W
安装风格 Through Hole
上升时间 104 ns
漏源击穿电压 33 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 42 ns
Continuous Drain Current Id :62A
Drain Source Voltage Vds :33V
On Resistance Rds(on) :12.5mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
功耗 :110W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style :SOT-78B
Current Id Max :62A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
Pulse Current Idm :248A
Voltage Vds Typ :33V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
associated SK 409/254 STS
SK 409/508 STS
SK 145/375 STS-220
MK3311
MK3306
MK3306/S

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