图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 ST(B,P)12NM50(FP,-1) |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 350 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 39nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220FP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| RDS -于 | 350@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最低工作温度 | -65 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大漏源电阻 | 350@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220FP |
| 最大功率耗散 | 35000 |
| 最大连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 35W |
| 匹配代码 | STP12NM50FP |
| R（ THJC ） | 3.57K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 39nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 12A |
| V（ DS ） | 500V |
| 技术 | MDmesh |
| 的RDS（on ） at10V | 0.35Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 350 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1000pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-2665-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 39nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.3mm |
| 身高 | 9.3mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大漏源电阻 | 0.35 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 35 W |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | TO-220FP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 28 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1000 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.6mm |
| 漏极电流（最大值） | 12 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 35 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.35 ohm |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 删除 | Compliant |
| 案例 | TO220FP |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 35W |
| Drain-source voltage | 550V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 12A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 2.53 g |
| Collective package [pcs] | 50 |
| spg | 50 |
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