图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:5264 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:965 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:5700 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 STL3NM60N |
| 文档 |
STL3NM60N View All Specifications |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.8 Ohm @ 1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 9.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 188pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 22W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STL3NM60N&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| P（ TOT ） | 22W |
| 匹配代码 | STL3NM60N |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 5.6K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | PwFLAT3x3 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| Q（克） | 9.5nC |
| LLRDS （上） | 1.5Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 10V |
| 我（D ） | 2.2A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技术 | MDmeshII |
| 的RDS（on ） at10V | 1.8Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 650mA (Ta), 2.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.8 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 22W |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 188pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-13351-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9.5nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 2.2 A |
| RDS（ON） | 1.8 Ohms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20.8 ns |
| 上升时间 | 6.2 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 9.5 nC |
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