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STL10N3LLH5 View All Specifications |
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标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 19 mOhm @ 4.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 6nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 900pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16205?mpart=STL10N3LLH5&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 | 8Power Flat |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 9 A |
RDS -于 | 19@10V mOhm |
最大门源电压 | ±22 V |
典型导通延迟时间 | 4 ns |
典型上升时间 | 4.2 ns |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
典型下降时间 | 3.5 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±22 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.95(Max) |
最大功率耗散 | 50000 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 19@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 3.3 |
供应商封装形式 | Power Flat |
包装长度 | 3.3 |
PCB | 8 |
最大连续漏极电流 | 9 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | No Lead |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 19 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 900pF @ 25V |
其他名称 | 497-11843-2 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 6nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
晶体管极性 | :N Channel |
Continuous Drain Current Id | :9A |
Drain Source Voltage Vds | :30V |
On Resistance Rds(on) | :0.015ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :1V |
功耗 | :50W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :PowerFLAT |
No. of Pins | :8 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Weight (kg) | 0.1 |
Tariff No. | 85412900 |
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