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| 规格书 |
 STH240N75F3-(2,6) |
| 文档 |
STH240N75F3-2 View All Specifications |
| 其他相关文件 | STH240N75F3-2 View All 规格 |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 75V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 180A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3 mOhm @ 90A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 87nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STH240N75F3-2&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 180A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 供应商设备封装 | H²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3 mOhm @ 90A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 87nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 其他名称 | 497-13271-1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 180 A |
| RDS（ON） | 3 mOhms |
| 功率耗散 | 300 W |
| 封装/外壳 | H2PAK |
| 栅极电荷Qg | 87 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 上升时间 | 70 ns |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 15 ns |
| 栅源电压（最大值） | ?20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | H2PAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 75 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 87 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 180 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3 mOhms |
| 系列 | N-channel STripFET |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
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