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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

STGWT38IH130D 

产品描述

IGBT Transistors 33A 1300V VF IGBT PowerMESH IGBT

内部编号

390-STGWT38IH130D

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:254
1+¥33.5978
10+¥30.1962
100+¥24.7423
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STGWT38IH130D产品详细规格

规格书 STGWT38IH130D datasheet 规格书
STGW38IH130D
STGWT38IH130D datasheet 规格书
文档 STGWT38IH130D View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 STGWT38IH130D View All Specifications
标准包装 30
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1300V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A
- 集电极电流(Ic)(最大) 63A
功率 - 最大 250W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-3P
包装材料 Tube
栅极电荷 127nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 63A
安装类型 Through Hole
开关能量 3.4mJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C -/102ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.8V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1300V
供应商设备封装 TO-3P
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-3P-3 Full Pack
测试条件 960V, 20A, 10 Ohm, 15V
其他名称 497-12254
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 125A
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
集电极 - 发射极饱和电压 2.8 V
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流在25 C 55 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1300 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 250 W
最大栅极发射极电压 25 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
输入类型 Standard
系列 PowerMESH™
测试条件 960V, 20A, 10 Ohm, 15V
开关能量 3.4mJ (off)
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 125A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.8V @ 15V, 20A
封装/外壳 TO-3P-3 Full Pack
闸极电荷 127nC
功率 - 最大值 250W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 63A
电压 - 集射极击穿(最大值) 1300V
工厂包装数量 30
系列 STGWT38IH130D
品牌 STMicroelectronics
技术 Si
Pd - Power Dissipation 250 W

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