1. STGB14NC60KDT4
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厂商型号

STGB14NC60KDT4 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

390-STGB14NC60KDT4

生产厂商

stmicroelectronics

stm

#1

数量:619
1+¥12.0344
10+¥9.7095
100+¥7.795
500+¥6.824
1000+¥5.6479
2000+¥5.2445
5000+¥5.0531
10000+¥4.6701
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:2290
1+¥12.7127
10+¥11.4135
100+¥9.1713
500+¥7.5354
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:27932
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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原厂背书质量,全面技术支持

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STGB14NC60KDT4产品详细规格

规格书 STGB14NC60KDT4 datasheet 规格书
STGB14NC60KDT4 datasheet 规格书
STGB14NC60KDT4 datasheet 规格书
STGB14NC60KDT4 datasheet 规格书
文档 D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013
STGB14NC60KD View All Specifications
其他相关文件 STGB14NC60KD View All 规格
标准包装 1,000
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 2.5V @ 15V, 7A
集电极电流(Ic)(最大) 25A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 50A
功率 - 最大 80W
Switching 能源 237µJ
输入 型 Standard
栅极电荷 34.4nC
Td(开/关)@ 25°C 22.5ns/116ns
测试条件 390V, 7A, 10 Ohm,15V
反向恢复时间(trr) 37ns
包装材料 Tape & Reel (TR)
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型 Surface Mount
供应商器件封装 D2PAK
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17460?mpart=STGB14NC60KDT4&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
包装 3D2PAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 25 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 D2PAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 25
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 9.35(Max)
标准包装名称 D2PAK
包装高度 4.6(Max)
最大功率耗散 80000
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 2
包装长度 10.4(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
匹配代码 STGB14NC60KDT4
I(C ) 600A
TD (上) 14nS
单位包 1000
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 1000
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
V( CE ) N-CHANNELV
栅极电荷 34.4nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 25A
安装类型 Surface Mount
开关能量 237µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 22.5ns/116ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 7A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D2PAK
反向恢复时间(trr ) 37ns
功率 - 最大 80W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 390V, 7A, 10 Ohm,15V
其他名称 497-5109-2
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 50A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
栅极 - 射极漏泄电流 2 A
集电极 - 发射极饱和电压 2.1 V
产品种类 IGBT Transistors
工厂包装数量 1000
连续集电极电流Ic最大 25 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
Capacitance,Gate 760pF
Current,Collector 25A
EnergyRating 237μJ
PackageType D2PAK
极性 N-Channel
PowerDissipation 80W
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 1.56°C/W
类型 Fast
Voltage,CollectortoEmitterShorted 600V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation 2.1V
associated FK 244 13 D2 PAK
FK 244 08 D2 PAK

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