图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
STFW4N150 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STFW4N150 View All Specifications |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1500V (1.5kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | - |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7 Ohm @ 2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 50nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 63W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3PF |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220FP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 7000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 35 ns |
| 典型上升时间 | 30 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大漏源电阻 | 7000@10V |
| 最大漏源电压 | 1500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220FP |
| 最大功率耗散 | 63000 |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1500V (1.5kV) |
| 供应商设备封装 | TO-3PF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7 Ohm @ 2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 63W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1300pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-10004-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 50nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-3PF |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 15.7 x 5.7 x 26.7mm |
| 身高 | 26.7mm |
| 长度 | 15.7mm |
| 最大漏源电阻 | 7 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 63 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-3PF |
| 典型栅极电荷@ VGS | 50 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 1300 pF @ 25 V |
| 宽度 | 5.7mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| RDS（ON） | 7 Ohms |
| 功率耗散 | 63 W |
| 封装/外壳 | TO-3PF |
| 漏源击穿电压 | 1500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 漏源导通电阻 | 7 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 1500 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :4A |
| Drain Source Voltage Vds | :1.5kV |
| On Resistance Rds(on) | :5ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :63W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-3PF |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.52 |
| Tariff No. | 85412900 |
STFW4N150也可以通过以下分类找到
STFW4N150相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家