图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
STx40N60M2 |
| 系列 | * |
| 其他名称 | 497-14193-5 |
| 标准包装 | 50 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 88 mOhm @ 17A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2500pF @ 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 34A (Tc) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 57nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 57 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| 下降时间 | 11 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 34 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 88 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 技术 | Si |
STF40N60M2也可以通过以下分类找到
STF40N60M2相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
