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| 规格书 |
 ST(D,P)9NM40N |
| 文档 |
STD9NM40N View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 400V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 790 mOhm @ 2.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 365pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STD9NM40N&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 400V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 790 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 365pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-13426-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 5.6 A |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 功率耗散 | 60 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 400 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 14 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| 下降时间 | 8.8 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 790 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 技术 | Si |
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