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STD95N4F3 View All Specifications |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
其他相关文件 | STD95N4F3 View All Specifications |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 54nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 110W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 40 V |
最大连续漏极电流 | 80 A |
RDS -于 | 5.8@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 15 ns |
典型上升时间 | 50 ns |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
标准包装名称 | DPAK |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 5.8@10V |
最大漏源电压 | 40 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | DPAK |
最大功率耗散 | 110000 |
最大连续漏极电流 | 80 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
P( TOT ) | 110W |
匹配代码 | STD95N4F3 |
R( THJC ) | 1.36K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 10 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | 54nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | AEC-Q(100) |
我(D ) | 80A |
V( DS ) | 40V |
技术 | StripFET |
的RDS(on ) at10V | 0.0065Ohm |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
供应商设备封装 | D-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 110W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2200pF @ 25V |
其他名称 | 497-6024-2 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 54nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 80 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 5.8 mOhms |
功率耗散 | 110 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | DPAK |
上升时间 | 50 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 40 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 15 ns |
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