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| 规格书 |
 ST(B,D,F,P)7N52K3 |
| 文档 |
STD7N52K3 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STD7N52K3 View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 525V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 980 mOhm @ 3.1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 34nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 737pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 525 V |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| RDS -于 | 850@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 典型下降时间 | 19 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 850@10V |
| 最大漏源电压 | 525 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 90000 |
| 最大连续漏极电流 | 6 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 90W |
| 匹配代码 | STD7N52K3 |
| R（ THJC ） | 1.39K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 34nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 6.2A |
| V（ DS ） | 525V |
| 技术 | SuperMESH3 |
| 的RDS（on ） at10V | 0.98Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 525V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 980 mOhm @ 3.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 737pF @ 100V |
| 其他名称 | 497-10016-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 身高 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 最大漏源电阻 | 0.85 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 90 W |
| 包装类型 | TO-252 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 33 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 870 pF V @ 100 |
| 宽度 | 6.2mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 6 A |
| RDS（ON） | 850 mOhms |
| 功率耗散 | 90 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 11 ns |
| 漏源击穿电压 | 525 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 33 nC |
| Continuous Drain Current Id | :6A |
| Drain Source Voltage Vds | :525V |
| On Resistance Rds(on) | :0.72ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3.75V |
| 功耗 | :90W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.03 |
| Tariff No. | 85412900 |
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