图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
STD5NM50 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STD5NM50 View All Specifications |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 800 mOhm @ 2.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 415pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A |
| RDS -于 | 800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 典型上升时间 | 8 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 800@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 100000 |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 100W |
| 匹配代码 | STD5NM50T4 |
| R（ THJC ） | 1.25K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 13nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| 我（D ） | 7.5A |
| V（ DS ） | 500V |
| 技术 | MDmesh |
| 的RDS（on ） at10V | 0.8Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 800 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 415pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-3162-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 7.5 A |
| 正向跨导 - 闵 | 3.5 S |
| RDS（ON） | 800 mOhms |
| 功率耗散 | 100 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 8 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 6 ns |
| 漏极电流（最大值） | 7.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.8 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :7.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :500V |
| On Resistance Rds(on) | :800mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :100W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :7.5A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :30A |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds | :500V |
| Voltage Vds Typ | :500V |
| Voltage Vgs Max | :4V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :5V |
| Voltage Vgs th Min | :3V |
| Weight (kg) | 0.00031 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | TO252 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 500V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 7.5A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.64 g |
| Collective package [pcs] | 2500 |
| spg | 2500 |
| associated | RE901 EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D PAK FK 244 08 D PAK STD5NM50T4 |
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