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数量:4776 |
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规格书 |
![]() ![]() ST(B,D,F,P)7N52K3 |
文档 |
STB7N52K3 View All Specifications Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
其他相关文件 | STB7N52K3 View All Specifications |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 525V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 980 mOhm @ 3.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 50µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 34nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 737pF @ 100V |
功率 - 最大 | 90W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 525 V |
最大连续漏极电流 | 6 A |
RDS -于 | 850@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 13 ns |
典型上升时间 | 11 ns |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
典型下降时间 | 19 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±30 |
包装宽度 | 9.35(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 90000 |
最大漏源电压 | 525 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 850@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | D2PAK |
标准包装名称 | D2PAK |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.4(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 4.6(Max) |
最大连续漏极电流 | 6 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 1000 |
最小起订量 | 2000 |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 50µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 525V |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 980 mOhm @ 3.1A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 90W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 737pF @ 100V |
其他名称 | 497-10023-2 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 34nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏源极电压 (Vdss) | 525V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 737pF @ 100V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 980 mOhm @ 3.1A, 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 34nC @ 10V |
FET 功能 | Standard |
FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6A (Tc) |
功率 - 最大值 | 90W |
kits | Q7096737 |
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