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厂商型号

STB7N52K3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

390-STB7N52K3

生产厂商

stmicroelectronics

stm

#1

数量:4776
1+¥17.5323
10+¥15.821
100+¥12.7141
500+¥9.8885
最小起订量:1
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STB7N52K3产品详细规格

规格书 STB7N52K3 datasheet 规格书
STB7N52K3 datasheet 规格书
ST(B,D,F,P)7N52K3
文档 STB7N52K3 View All Specifications
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 STB7N52K3 View All Specifications
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 525V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 980 mOhm @ 3.1A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 50µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 737pF @ 100V
功率 - 最大 90W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 525 V
最大连续漏极电流 6 A
RDS -于 850@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型下降时间 19 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±30
包装宽度 9.35(Max)
PCB 2
最大功率耗散 90000
最大漏源电压 525
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 850@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 D2PAK
标准包装名称 D2PAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.4(Max)
引脚数 3
包装高度 4.6(Max)
最大连续漏极电流 6
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
单位包 1000
最小起订量 2000
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 50µA
漏极至源极电压(Vdss) 525V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 980 mOhm @ 3.1A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 90W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 737pF @ 100V
其他名称 497-10023-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 34nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏源极电压 (Vdss) 525V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 737pF @ 100V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 980 mOhm @ 3.1A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 34nC @ 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 6A (Tc)
功率 - 最大值 90W
kits Q7096737

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