图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| 文档 |
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 STB6N62K3 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STB6N62K3 View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 620V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 34nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 875pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 620 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A |
| RDS -于 | 1200@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 22 ns |
| 典型上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 典型下降时间 | 20 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 620V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 875pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm |
| 身高 | 4.6mm |
| 长度 | 10.75mm |
| 最大漏源电阻 | 1.2 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 90 W |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-263 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 34 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 875 pF V @ 50 |
| 宽度 | 10.4mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 5.5 A |
| RDS（ON） | 950 mOhms |
| 功率耗散 | 90 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 12 ns |
| 漏源击穿电压 | 620 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| Continuous Drain Current Id | :5.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :620V |
| On Resistance Rds(on) | :0.95ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3.75V |
| 功耗 | :90W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.138 |
| Tariff No. | 85412900 |
STB6N62K3也可以通过以下分类找到
STB6N62K3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家