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数量:22 |
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| 规格书 |
 SD3933 |
| 文档 |
SD3933 View All Specifications Top Metallization AlSiCu to AlCu 07/Aug/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | SD3933 View All Specifications |
| 标准包装 | 25 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 频率 | 30MHz |
| 增益 | 29dB |
| 电压 - 测试 | 100V |
| 额定电流 | 20A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| Power - 输出功率 | 350W |
| 电压 - 额定 | 250V |
| 包/盒 | M177 |
| 供应商器件封装 | M177 |
| 包装材料 | Tray |
| 供应商封装形式 | Case M-174 |
| 最大频率 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 350(Min) |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 66 |
| 渠道类型 | N |
| 典型功率增益 | 29 |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 1100@100V |
| 最大功率耗散 | 648000 |
| 最大连续漏极电流 | 20 |
| 引脚数 | 5 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 250V |
| 标准包装 | 25 |
| 供应商设备封装 | M177 |
| 电压 - 测试 | 100V |
| 封装 | Tray |
| 频率 | 30MHz |
| 增益 | 29dB |
| 封装/外壳 | M177 |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| 额定电流 | 20A |
| 功率 - 输出 | 350W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 648 W |
| 输出功率 | 350 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| 长度 | 28.96 mm |
| 工作频率 | 200 MHz |
| 系列 | SD3933 |
| 身高 | 7.11 mm |
| Pd - Power Dissipation | 648 W |
| 技术 | Si |
SD3933也可以通过以下分类找到
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