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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MJD2955T4 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Gen Pur Switch

内部编号

390-MJD2955T4

生产厂商

STMicroelectronics

STM

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MJD2955T4产品详细规格

规格书 MJD2955T4 datasheet 规格书
MJDxx55
文档 MJD2955 View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 MJD2955 View All Specifications
标准包装 2,500
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 5V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止(最大) 50µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 20 @ 4A, 4V
功率 - 最大 20W
频率转换 2MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 10
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 2(Min)
包装宽度 6.2(Max)
PCB 2
最大功率耗散 20000
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 70
最低工作温度 -65
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
包装长度 6.6(Max)
最大集电极发射极电压 60
最小直流电流增益 20@4A@4V|5@10A@4V
包装高度 2.4(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 10A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 2MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 5V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止(最大) 50µA
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 D-Pak
功率 - 最大 20W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 20 @ 4A, 4V
其他名称 497-3136-2
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Bipolar Power
配置 Single
外形尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm
身高 2.4mm
长度 6.6mm
最大集电极基极电压 70 V
最大集电极发射极饱和电压 8 V
最大集电极发射极电压 60 V
集电极最大直流电流 10 A
最大基地发射极电压 5 V
最大工作频率 2 MHz
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 20 W
最低工作温度 -65 °C
包装类型 D-PAK
宽度 6.2mm
集电极电流( DC)(最大值) 10 A
集电极 - 基极电压 70 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 2 MHz
功率耗散 20 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益(最小值) 20
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 2 MHz
集电极电流(DC ) 10 A
直流电流增益 20
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :60V
Transition Frequency ft :2MHz
功耗 :20W
DC Collector Current :10A
DC Current Gain hFE :100
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :1.1V
Current Ic Continuous a Max :4A
Gain Bandwidth ft Typ :2MHz
Hfe Min :20
工作温度范围 :-65°C to +150°C
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.00195
Tariff No. 85412900
Current,Collector -10A
Current,Gain 5
PackageType TO-252
极性 PNP
PowerDissipation 20W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 6.25°C/W
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter -60V
Voltage,CollectortoBase -70V
Voltage,CollectortoEmitter -60V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation -8V
Voltage,EmittertoBase -5V

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