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| 规格书 |
 LET9150 |
| 文档 |
LET9150 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | LET9150 View All Specifications |
| 标准包装 | 20 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 860MHz |
| 增益 | 20dB |
| 电压 - 测试 | 32V |
| 额定电流 | 20A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 600mA |
| Power - 输出功率 | 150W |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 包/盒 | M246 |
| 供应商器件封装 | M246 |
| 包装材料 | Bulk |
| 单位包 | 20 |
| 最小起订量 | 60 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 标准包装 | 20 |
| 供应商设备封装 | M246 |
| 电压 - 测试 | 32V |
| 封装 | Bulk |
| 频率 | 860MHz |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | M246 |
| 电流 - 测试 | 600mA |
| 额定电流 | 20A |
| 功率 - 输出 | 150W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 15 V |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 功率耗散 | 269 W |
| 输出功率 | 150 W |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装 | Screw |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | Case M-246 |
| 引脚数 | 5 |
| 元件数 | 2 |
| 渠道类型 | N |
| 筛选等级 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 2000 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 2.5(Min) S |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 33@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 20 dB |
| 漏极效率（典型值） | 69 % |
| 功率耗散（最大） | 269000 mW |
| 系列 | LET9150 |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Pd - Power Dissipation | 269 W |
| 工作频率 | 2 GHz |
| 技术 | Si |
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