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规格书 |
IRF520 |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 10A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 270 mOhm @ 7A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 460pF @ 25V |
功率 - 最大 | 60W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 10A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 50 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 270 mOhm @ 7A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 60W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 460pF @ 25V |
其他名称 | 497-2782-5 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 22nC @ 10V |