规格书 |
BUL741(FP) |
文档 |
New Passivation Material 30/Sep/2013 BUL741 View All Specifications TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
其他相关文件 | BUL741 View All Specifications |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 2.5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 600mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 25 @ 450mA, 3V |
功率 - 最大 | 60W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 400 V |
集电极最大直流电流 | 2.5 A |
最小直流电流增益 | 48@0.1A@5V|25@0.45A@3V |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.14A@0.7A|1.5@0.6A@2A V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 60000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 2.5 |
最低工作温度 | -65 |
包装宽度 | 4.6(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 60000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极发射极电压 | 400 |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 10.4(Max) |
包装高度 | 9.15(Max) |
最大基地发射极电压 | 15 |
封装 | Tube |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2.5A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.5V @ 600mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
功率 - 最大 | 60W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 25 @ 450mA, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 15 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 48 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
安装风格 | Through Hole |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 1.5V @ 600mA, 2A |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极截止(最大值) | 250µA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 25 @ 450mA, 3V |
功率 - 最大值 | 60W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V |
工厂包装数量 | 1000 |
系列 | 500V Transistors |
品牌 | STMicroelectronics |
身高 | 9.15 mm (Max) |
长度 | 10.4 mm (Max) |
Pd - Power Dissipation | 60000 mW |
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