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厂商型号

BUL3P5 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR

内部编号

390-BUL3P5

生产厂商

STMicroelectronics

STM

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BUL3P5产品详细规格

规格书 BUL3P5 datasheet 规格书
BUL3P5
Rohs Lead free / RoHS Compliant
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标准包装 50
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 18 @ 700mA, 5V
功率 - 最大 60W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 3
最低工作温度 -65
安装 Through Hole
包装宽度 4.6(Max)
PCB 3
最大功率耗散 60000
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 500
最大集电极发射极电压 400
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
包装长度 10.4(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 10@10mA@5V|18@0.7A@5V|4@2A@5V
包装高度 9.15(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 60W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 18 @ 700mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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    0512-68796728
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