图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
BD237 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | BD237 View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 600mV @ 100mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 25 @ 1A, 2V |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-32-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3SOT-32 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 40@150mA@2V|25@1A@2V |
| 最大工作频率 | 3(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.6@0.1A@1A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 25000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-126 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 25000 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
| 封装 | Tube |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | SOT-32 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 铅形状 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 25W |
| 匹配代码 | BD237 |
| I（C ） | 2A |
| V（ CEO ） | 80V |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 6000 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 25 |
| V（ CBO ） | 100V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 100mA, 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-32-3 |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 25 @ 1A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.8 x 7.8 x 2.7mm |
| 身高 | 10.8mm |
| 长度 | 7.8mm |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | SOT-32 |
| 宽度 | 2.7mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.6 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 3 MHz |
| 功率耗散 | 25 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 40 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 3 MHz |
| 直流电流增益 | 40 |
| 集电极电流（DC ） | 2 A |
| 案例 | TO126 |
| Transistor type | NPN |
| 功率 | 25W |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 100V |
| Gross weight | 1.26 g |
| Collector current | 2A |
| Collective package [pcs] | 200 |
| spg | 200 |
| associated | BD237G MK3311 |
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