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数量:4500 |
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规格书 |
![]() 2STL1525 |
文档 |
2STL1525 View All Specifications |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Frequency - Transition | 120MHz |
Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Power - Max | 1.5W |
Supplier Device Package | TO-92L |
晶体管类型 | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 40mA, 3.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
集电极最大直流电流 | 5 |
最低工作温度 | -65 |
安装 | Through Hole |
Maximum Transition Frequency | 120(Typ) |
包装宽度 | 4.1(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1000 |
类型 | NPN |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极发射极电压 | 25 |
供应商封装形式 | TO-92L |
标准包装名称 | TO-92 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 5.1(Max) |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 100@0.5A@2V|100@3A@2V|100@5A@5V |
包装高度 | 8.2(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Bag |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 5A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 120MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 40mA, 3.5A |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
供应商设备封装 | TO-92L |
功率 - 最大 | 1.5W |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 150 @ 500mA, 2V |
其他名称 | 497-10888 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
增益带宽产品fT | 120 MHz |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
最大功率耗散 | 1.5 W |
直流集电极/增益hfe最小值 | 150 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 25 V |
安装风格 | Through Hole |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 5 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 5 A |
集电极 - 发射极电压 | 25 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
功率耗散 | 1 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-92L |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 120 MHz |
删除 | Compliant |
集电极电流(DC ) | 5 A |
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