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数量:145 |
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| 规格书 |
 2STC5948 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 17A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 800mA, 8A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 80 @ 1A, 5V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 频率转换 | 25MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-3P |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 250 V |
| 集电极最大直流电流 | 17 A |
| 最小直流电流增益 | 80@1A@5V|35@7A@5V |
| 最大工作频率 | 25(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 3@800mA@8A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 200000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 17 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 200000 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 25(Typ) |
| 封装 | Tube |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 250 |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最大集电极发射极电压 | 250 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 17A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 25MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 800mA, 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 80 @ 1A, 5V |
| 其他名称 | 497-6958-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 增益带宽产品fT | 25 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 at 1 A at 5 V, 35 at 7 A at 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 80 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 250 V |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
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