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数量:100 |
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| 规格书 |
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| 类型 | GaAs pHEMT |
| 漏源电压VDS | 12 V |
| 源极击穿电压 | - 14 V |
| 连续漏极电流 | 1.4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 1.8 S |
| 产品 | RF JFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 在P1dB | 37 dBm |
| 增益 | 8 dB |
| 封装/外壳 | Die 18 |
| 零件号别名 | 1031682 |
| 频率 | 18 GHz |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
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