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厂商型号

TPN22006NH,LQ 

产品描述

UMOSVIII_60V_22.0MOHM MAX(VGS=

内部编号

369-TPN22006NH-LQ

生产厂商

Toshiba

toshiba

#1

数量:1986
1+¥6.35
10+¥5.5372
100+¥4.2736
500+¥3.1656
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TPN22006NH,LQ产品详细规格

规格书 TPN22006NH,LQ datasheet 规格书
TPN22006NH
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 9A
Rds(最大)@ ID,VGS 22 mOhm @ 4.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 100µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 12nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 710pF @ 30V
功率 - 最大 18W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerVDFN
供应商器件封装 8-TSON Advance
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TPN22006NH,LQ&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 9A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 100µA
供应商设备封装 8-TSON Advance
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 22 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 18W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 710pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 12nC @ 10V
封装/外壳 8-PowerVDFN
其他名称 TPN22006NHLQCT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 21 A
RDS(ON) 18 mOhms
功率耗散 18 W
封装/外壳 TSON-8
栅极电荷Qg 12 nC
典型关闭延迟时间 13 ns
上升时间 4.6 ns
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 3.3 ns

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