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数量:1986 |
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规格书 |
![]() TPN22006NH |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 100µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 12nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 710pF @ 30V |
功率 - 最大 | 18W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | 8-TSON Advance |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TPN22006NH,LQ&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 100µA |
供应商设备封装 | 8-TSON Advance |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 18W |
标准包装 | 3,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 710pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 12nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
其他名称 | TPN22006NHLQCT |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 21 A |
RDS(ON) | 18 mOhms |
功率耗散 | 18 W |
封装/外壳 | TSON-8 |
栅极电荷Qg | 12 nC |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
上升时间 | 4.6 ns |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 3.3 ns |
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