规格书 |
TPH12008NH |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 80V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 24A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 12.3 mOhm @ 12A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 300µA, 10V |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1900pF @ 40V |
功率 - 最大 | 48W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | 8-SOP Advance |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TPH12008NH,L1Q&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 24A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 300µA |
供应商设备封装 | 8-SOP Advance |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 12.3 mOhm @ 12A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 48W |
标准包装 | 5,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1900pF @ 40V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 22nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
其他名称 | TPH12008NHL1QCT |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 44 A |
RDS(ON) | 10.1 mOhms |
功率耗散 | 48 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | SOP-8 |
栅极电荷Qg | 22 nC |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
上升时间 | 5 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 80 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 7.4 ns |
工厂包装数量 | 5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V to 4 V |
Qg - Gate Charge | 22 nC |
品牌 | Toshiba |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 44 A |
长度 | 5 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 10.1 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
系列 | TPH12008NH |
身高 | 0.95 mm |
典型导通延迟时间 | 15 ns |
Pd - Power Dissipation | 48 W |
技术 | Si |
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