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| 规格书 |
 Mosfets Prod Guide |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 24A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 11 mOhm @ 12A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 21nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2150pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-SOP Advance |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOP EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| RDS -于 | 11@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型上升时间 | 3.4 ns |
| 典型下降时间 | 9.9 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 24A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | 8-SOP Advance |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2150pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 21nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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