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厂商型号

TPC6107(TE85L,F,M) 

产品描述

MOSFET MOSFET P-Ch 20V 4.5A Rdson=0.055Ohm

内部编号

369-TPC6107-TE85L-F-M

生产厂商

Toshiba

toshiba

#1

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TPC6107(TE85L,F,M)产品详细规格

规格书 TPC6107(TE85L,F,M) datasheet 规格书
TPC6107
Mosfets Prod Guide
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 55 mOhm @ 2.2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 200µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 9.8nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 680pF @ 10V
功率 - 最大 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装 VS-6 (2.9x2.8)
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 VS
最低工作温度 -55
渠道类型 P
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 55@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 VS
最大功率耗散 2200
最大连续漏极电流 4.5
引脚数 6
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 4.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 200µA
封装/外壳 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装 VS-6 (2.9x2.8)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 55 mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 680pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 9.8nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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