规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
8A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
54 mOhm @ 4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
3V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
10nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
400pF @ 10V |
功率 - 最大 |
25W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
DPAK+ |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3DPAK |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
60 V |
最大连续漏极电流 |
8 A |
RDS -于 |
54@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型上升时间 |
7 ns |
典型下降时间 |
4 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大门源电压 |
±20 |
包装宽度 |
5.5 |
PCB |
2 |
最大功率耗散 |
25000 |
最大漏源电压 |
60 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
54@10V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
DPAK |
标准包装名称 |
DPAK |
最高工作温度 |
175 |
渠道类型 |
N |
包装长度 |
6.5 |
引脚数 |
3 |
包装高度 |
2.3 |
最大连续漏极电流 |
8 |
封装 |
Tape and Reel |
标签 |
Tab |
铅形状 |
Gull-wing |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
8A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
3V @ 1mA |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商设备封装 |
DPAK+ |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
54 mOhm @ 4A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
25W |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
400pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
10nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
2000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
60 V |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
系列 |
TK8S06K3L |
品牌 |
Toshiba |
Id - Continuous Drain Current |
8 A |
安装风格 |
SMD/SMT |
Pd - Power Dissipation |
25 W |
长度 |
6.5 mm |
通道数 |
1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance |
54 mOhms |
晶体管极性 |
N-Channel |
身高 |
2.3 mm |
技术 |
Si |