规格书 |
![]() TK62J60W |
标准包装 | 25 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 61.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 38 mOhm @ 30.9A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.7V @ 3.1mA, 10V |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 180nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6500pF @ 300V |
功率 - 最大 | 400W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3P(N) |
包装材料 | Tube |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TK62J60W,S1VQ&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Super Junction |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 61.8A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.7V @ 3.1mA |
供应商设备封装 | TO-3P(N) |
其他名称 | TK62J60WS1VQ |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 38 mOhm @ 30.9A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 400W |
标准包装 | 25 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6500pF @ 300V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 180nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
安装风格 | Through Hole |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 61.8 A |
RDS(ON) | 33 mOhms |
功率耗散 | 30 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | TO-3P |
栅极电荷Qg | 180 nC |
典型关闭延迟时间 | 310 ns |
上升时间 | 58 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 600 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 15 ns |
栅源电压(最大值) | �30 V |
安装 | Through Hole |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-3PN |
引脚数 | 3 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
通道模式 | Enhancement |
漏源导通电压 | 600 V |
弧度硬化 | No |
工厂包装数量 | 25 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V to 3.7 V |
Qg - Gate Charge | 180 nC |
品牌 | Toshiba |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 61.8 A |
长度 | 15.5 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
系列 | TK62J60W |
身高 | 20 mm |
典型导通延迟时间 | 115 ns |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
技术 | Si |
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