规格书 |
![]() TK5Q60W |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5.4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.7V @ 270µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 10.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 380pF @ 300V |
功率 - 最大 | 60W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TK5Q60W,S1VQ&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Super Junction |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 5.4A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.7V @ 270µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
供应商设备封装 | I-Pak |
其他名称 | TK5Q60WS1VQ |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 60W |
标准包装 | 75 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 380pF @ 300V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 10.5nC @ 10V |
安装风格 | Through Hole |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 5.4 A |
RDS(ON) | 770 mOhms |
功率耗散 | 60 W |
商品名 | DTMOSIV |
栅极电荷Qg | 10.5 nC |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
上升时间 | 18 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 600 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 7 ns |
工厂包装数量 | 75 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V to 3.7 V |
Qg - Gate Charge | 10.5 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
品牌 | Toshiba |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 5.4 A |
长度 | 6.65 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 770 mOhms |
系列 | TK5Q60W |
身高 | 6.1 mm |
典型导通延迟时间 | 40 ns |
Pd - Power Dissipation | 60 W |
技术 | Si |
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