图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:2 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:246 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:286 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 TK39J60W5 |
| 标准包装 | 25 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 38.8A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.7V @ 1.9mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 135nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4100pF @ 300V |
| 功率 - 最大 | 270W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P(N) |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TK39J60W5,S1VQ&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Super Junction |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 38.8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.7V @ 1.9mA |
| 供应商设备封装 | TO-3P(N) |
| 其他名称 | TK39J60W5S1VQ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 270W |
| 标准包装 | 25 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4100pF @ 300V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 135nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 38.8 A |
| RDS（ON） | 55 mOhms |
| 功率耗散 | 270 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-3P |
| 栅极电荷Qg | 110 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 200 ns |
| 上升时间 | 50 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工厂包装数量 | 25 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Qg - Gate Charge | 110 nC |
| 品牌 | Toshiba |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 38.8 A |
| 长度 | 15.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | TK39J60W5 |
| 身高 | 20 mm |
| 典型导通延迟时间 | 80 ns |
| Pd - Power Dissipation | 270 W |
| 技术 | Si |
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