规格书 |
TK34E10N1 |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 34A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 9.5 mOhm @ 17A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 500µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 38nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2600pF @ 50V |
功率 - 最大 | 103W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
包装材料 | Tube |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TK34E10N1,S1X&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 75A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 500µA |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
其他名称 | TK34E10N1S1X |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 9.5 mOhm @ 17A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 103W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2600pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 38nC @ 10V |
RoHS | RoHS Compliant |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
晶体管极性 | N-Channel |
工厂包装数量 | 50 |
系列 | TK34E10N1 |
品牌 | Toshiba |
身高 | 15.1 mm |
安装风格 | Through Hole |
长度 | 10.16 mm |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 9.5 mOhms |
Pd - Power Dissipation | 103 W |
Id - Continuous Drain Current | 75 A |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
技术 | Si |
TK34E10N1,S1X也可以通过以下分类找到
TK34E10N1,S1X相关搜索
咨询QQ
热线电话