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厂商型号

TK22E10N1,S1X 

产品描述

LV-MOS_100V_13.8MOHM MAX(VGS=1

内部编号

369-TK22E10N1-S1X

生产厂商

Toshiba

toshiba

#1

数量:194
1+¥9.2993
10+¥7.4531
100+¥5.7368
500+¥5.0667
1000+¥4.0001
2500+¥3.5351
5000+¥3.4667
10000+¥3.4052
25000+¥3.1522
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:393
1+¥9.525
10+¥8.4455
50+¥7.6276
100+¥6.6745
250+¥5.857
500+¥5.1759
1000+¥4.0862
2500+¥3.8138
5000+¥3.6231
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

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全场免邮
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TK22E10N1,S1X产品详细规格

规格书 TK22E10N1,S1X datasheet 规格书
TK22E10N1
TK22E10N1,S1X datasheet 规格书
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 52A
Rds(最大)@ ID,VGS 13.8 mOhm @ 11A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 300µA, 10V
栅极电荷(Qg)@ VGS 28nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1800pF @ 50V
功率 - 最大 72W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220-3
包装材料 Tube
动态目录 N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TK22E10N1,S1X&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;

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